صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	450 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	31 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	450 گرم	60 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	450 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

خودروسازی دی اس VS اچ پی

ویژگی	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SAS
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، سبز	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	52 گرم	450 گرم
میزان توان مصرفی	-	9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	800 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه