مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 450 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش 9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 89,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 800 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SAS
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 13 * 59 * 88 میلی‌متر 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، طوسی -
وزن محصول 98 گرم 450 گرم
میزان توان مصرفی - 9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 800 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 103,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 800 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه