مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	450 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	480,000IOPS	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	89,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	800 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت

سامسونگ VS اچ پی

ویژگی	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	SAS
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	13 × 59 × 88 میلی‌متر	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
وزن محصول	98 گرم	450 گرم
میزان توان مصرفی	-	9 وات در حالت فعال
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	103,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	89,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	800 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS لکسار

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 800 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	139.7 × 184.2 × 222.3 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	103,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	800 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه