صفحه 10 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	1000,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS توین موس

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS PNY

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز ** مک
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه	-	آلومینیوم
محتویات جعبه	-	1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS کینگ مکس

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	230,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

اچ پی VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	260,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول	450 گرم	9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	MAP1202
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
رنگ‌بندی	-	آبی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	800,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS کلو

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2263XT
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه