صفحه 11 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E19T

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 1,200,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم 660 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 11 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 410 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - سازگار با پلی‌استیشن 5 ** مک OS ایکس ** ویندوز 10

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 64L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 370,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانیتگراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC SLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 59,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 4-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 89,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit