1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung 3-bit 2D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MGX
نوع حافظه DRAM - 256MB DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اچ پی VS توین موس
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 74,240IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

اچ پی VS تروبایت
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر -
وزن محصول 450 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge -
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ترنسند
ویژگی

اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 200 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 660 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 106,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 83,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,400,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 9 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 450 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه