صفحه 9 از مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS توشیبا

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	SAS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	-
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS زاداک

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	1,500,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E26
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	42 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS سیگیت

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS PNY

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری	-	AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت

اچ پی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM	-	1 MB DDR4

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	-
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	4 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اچ پی VS msi

ویژگی	اچ پی ای Write Intensive SAS 2.5 Inch ظرفیت 200 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	200 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	106,000IOPS	650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	700,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,400,000 (MTBF) ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	9 وات در حالت فعال	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار SmartSSD Wear Gauge	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	139.7 * 184.2 * 222.3 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	450 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
نوع حافظه DRAM	-	2 MB DDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit

مشاهده جزئیات مقایسه