1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ای‌دیتا VS گودرم
ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS ۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 950,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 1,500,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E26
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E19T
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

گودرم VS لنوو
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

گودرم VS لنوو
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

گودرم VS لنوو
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۷.۲ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

دِل VS گودرم
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

گودرم VS کلیو
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - ۱۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

گودرم VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

گیگابایت VS گودرم
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با

گودرم VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 2280
پورت اتصال حافظه Serial ATA III M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
طراحی و ابعاد دستگاه - فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی - کارآمد
مشاهده جزئیات مقایسه