صفحه 2 از مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

گودرم VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۸۰	۶۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

گودرم VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
وزن محصول	-	۷.۳ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

گودرم VS اچ پی

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۸۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
وزن محصول	-	۳۴.۴ گرم
محتویات جعبه	-	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

گودرم VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	۲.۵"
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
وزن محصول	-	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

گودرم VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۸۰	۴۸۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
وزن محصول	-	۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2$

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

دِل VS گودرم

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۲۵۶ گیگابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

گودرم VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	۵۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۱۵۱.۳ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

گودرم VS کینگستون

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
وزن محصول	-	۷.۷ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

GIGABYTE VS گودرم

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۶۱۴۴۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۸۰
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گودرم VS msi

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	1000,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	PHISON E18
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول	-	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گودرم VS کینگ مکس

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
وزن محصول	-	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

گودرم VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۶ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۶۵۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۴۴۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۸۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه