1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

Crucial VS گودرم
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

GIGABYTE VS گودرم
ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۶۱۴۴۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - ۱۸۰
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گودرم VS msi
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 700,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - PHISON E18
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
وزن محصول - 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گودرم VS توین موس
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گودرم VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS 800,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - S4LV003
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

دِل VS گودرم
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه SAS Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با

گودرم VS KingSpec
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No
نوع کاربری حافظه اینترنال
شیوه اتصال -
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

برند نامشخص VS گودرم
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۸۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با

گودرم VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No
نوع کاربری حافظه اینترنال
شیوه اتصال -
حافظه DRAM -
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
فناوری رمزنگاری -
رنگ‌بندی -
وزن محصول -
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

گودرم VS کینگستون
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۷.۷ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2 {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

گودرم VS سی‌گیت
ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۴۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

برند نامشخص VS گودرم
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۸۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS
مشاهده جزئیات مقایسه