صفحه 4 از مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۳۲۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

برند نامشخص VS گودرم
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ ۱۸۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۶ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.۲
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۷۰ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۴۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۶۴۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۲.۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS ۹۷۴۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

مقایسه اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۵۶ گیگابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۴۴۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۸۰ ۱۶۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
وزن محصول - ۲.۶ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

برند نامشخص VS گودرم
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اس اس دی اینترنال Goodram CX400 نسل 2

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲۵۶ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۴۸۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۱۸۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۴۴۰ IOPS