صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول - 31 گرم
میزان توان مصرفی - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول - - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت با گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه پلاستیک -
وزن محصول 60 گرم -
میزان توان مصرفی - - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND NAND
میزان ظرفیت حافظه 960 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 440 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Maxio Technology MAS0902A -

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE3512GNTD NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - قابلیت نمایش دمای حافظه - نرم‌افزار SSD Tool Box - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول - 98 گرم
میزان توان مصرفی - 3.3 وات در حالت خواندن - 2.8 وات در حالت نوشتن - 1.8 میلی‌وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه