صفحه 15 از مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS ایکس پی جی

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS خودروسازی دی اس

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
مواد بدنه	-	پلاستیک
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
وزن محصول	-	52 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
وزن محصول	-	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
وزن محصول	-	31 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
وزن محصول	-	13.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	-	98 گرم
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه