صفحه 14 از مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	940 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
وزن محصول	-	3.9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS لکسار

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Liquid NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	14.1 * 24.3 * 83.9 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5012-E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	42 گرم
محتویات جعبه	-	مایع خنک‌کننده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS اچ پی

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	1 MB Micron DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول	-	5.4 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11 * 23 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	سازگار با پلی‌استیشن 5 مک OS ایکس ویندوز 10
وزن محصول	-	410 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	11800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,600,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10، 11 ** مک OS X
وزن محصول	-	11 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS لکسار

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	DM620
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4600 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	88,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول	-	45 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه