مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.5 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
وزن محصول - 6.6 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM
وزن محصول - 34 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 25,000IOPS

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 38,000IOPS
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 20 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 30,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
وزن محصول - 70 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
وزن محصول - 63 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4600 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 4.2 وات * حالت خواندن ** 4.3 وات * حالت نوشتن ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم