صفحه 4 از مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Corsair VS سی‌گیت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای‌دیتا VS Corsair

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	780,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	34 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Corsair VS سی‌گیت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

Corsair VS دِل

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	No
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

Corsair VS دِل

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

Corsair VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

Corsair VS گیگابایت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۷۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	34 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

Corsair VS کینگستون

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۴۸۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه