1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

Corsair VS لنوو
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

Corsair VS کینگستون
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۶۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

Corsair VS کینگستون
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

Corsair VS فیلیپس
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن ۵ V
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۳۸.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Corsair VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 34 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

Corsair VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن ۵ V
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

Corsair VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن ۵ V
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

Corsair VS کینگستون
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۳۵۰۴
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۶۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

Corsair VS کلیو
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 34 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 780,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 34 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 780,000IOPS
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Corsair VS سی‌گیت
ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND QLC ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه