صفحه 2 از مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۳۲۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۶۴۰
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۱۵۱.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد