مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS 90,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Phison
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 780,000IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS 1,000,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS 360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS 360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Phison
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 780,000IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 780,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS 90,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن -
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 54.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512MBLPDDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D MLC NAND
کنترلر (Controller) Phison -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Phison DM928
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 780,000IOPS -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن 5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) 168 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2200 Phison
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 780,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G