صفحه 5 از مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	34 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	780,000IOPS
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Corsair VS سی‌گیت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Corsair VS سی‌گیت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	۱۲ V
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	۳.۳ V
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	34 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	780,000IOPS
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Corsair VS KingSpec

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison	Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	90,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS Corsair

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Phison
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	780,000IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS سیگیت

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	1,000,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS Samsung

ویژگی	کورسیر MP600 PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	780,000IOPS	360,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G	-
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه