صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS لکسار

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کورسیر VS ای دیتا

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	34 گرم	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS خودروسازی دی اس

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	34 گرم	52 گرم
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-

مشاهده جزئیات مقایسه