صفحه 4 از مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۶۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.۲
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۴۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3x4 / NVMe 3.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 400 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3x4 / NVMe 3.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۶.۵ گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۹۵۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۷۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No