1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

Corsair VS فیلیپس
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۳۸.۲ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

Corsair VS آی‌استوریج
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۴ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3x4 / NVMe 3.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

Corsair VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3x4 / NVMe 3.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

Corsair VS گیگابایت
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۷۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

Corsair VS سی‌گیت
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

Corsair VS اچ پی
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۶۴ گرم
محتویات جعبه - Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

Corsair VS کلیو
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۶۱۵۰۰۰ IOPS
وزن محصول - ۱۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

Corsair VS کینگستون
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۵۰۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۵۱.۳ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

Corsair VS کینگستون
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۱۴۶.۲ گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

Corsair VS لنوو
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۸۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه