1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

کورسیر VS سیلیکون پاور
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

کورسیر VS ام جی
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
وزن محصول - 115 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سیلیکون پاور
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS کروشیال
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 9 * 95 * 125 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258XT
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES
وزن محصول - 70 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

کورسیر VS کینگ اسپک
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کورسیر VS پی ان وای
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
وزن محصول - 6.6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کورسیر VS پی ان وای
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
وزن محصول - 6.6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

کورسیر VS لکسار
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 336 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM
وزن محصول - 34 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 330,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 30,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول - 70 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه