صفحه 5 از مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.۲
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۶۰۰۰ IOPS

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۸ گرم
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Corsair
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3x4 / NVMe 3.0
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 400 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 15 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۴۸۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, RoHS

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت ۱۴۰۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 360,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 8.5 گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
وزن محصول - 46 گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
وزن محصول - 86 گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

کورسیر MP400 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3x4 / NVMe 3.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 470 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 15 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد و دمای 0 تا 55 *جه
وزن محصول - 115 گرم