صفحه 31 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا SE730H USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا SE730H USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک - لینوکس - اندروید	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	- دارای گواهینامه IP68 - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اکسترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	12.2 × 44 × 72.7 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	طلایی، تیتانیوم	-
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	33 گرم	60 گرم
حافظه DRAM
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایسر VS سامسونگ

ویژگی	اپیسر AS350X SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 15G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 275 وات در حالت فعال - 80 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 835 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا LEGEND 710 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - سازگار با مادربوردهای اینتل و AMD - پشتیبانی از SLC Cache - پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 3.13 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت سینک) - 2.15 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	- 9 گرم (با هیت سینک) - 6.2 گرم (بدون هیت سینک)	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	RTS5766DL	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.5 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت Idle - 6.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 2400 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	کابل USB 3.2 دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر اندروید 8.0 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، قرمز، آبی	-
وزن محصول	54.9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	-	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا SD620 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل USB 3.2 دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر اندروید 8.0 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، قرمز، آبی	-
وزن محصول	54.9 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S130 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS ای دیتا

ویژگی	بایواستار S130 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش و ضربه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 80 × 120 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ایکس پی جی VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - پشتیبانی از SLC Cache و HMB - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	240,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5763DL	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.4 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	12 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTTF) - 150 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1150 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E13T	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S130 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار S130 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش و ضربه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 80 × 120 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال - اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD - براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری در کیس - کابل USB - کابل ساتا - کابل دیتا - شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - نرم‌افزار Acronis Data Migration	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.59 وات در حالت خواندن - 2.515 وات در حالت نوشتن - 0.693 وات به صورت میانگین - 0.672 وات در حالت آماده باش	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگ مکس VS ای دیتا

ویژگی	کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 × 80 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کروشیال VS ای دیتا

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 × 95 × 125 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTTF) - 240 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	960 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2259XT	-

مشاهده جزئیات مقایسه