صفحه 18 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 57.9 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات به صورت میانگین - 3 وات در حالت خواندن - 3.8 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 12 میلی‌وات در حالت DevSlp - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 82,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 57.9 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات به صورت میانگین - 3 وات در حالت خواندن - 3.8 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 12 میلی‌وات در حالت DevSlp - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 82,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.7 × 72.13 × 101.85 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung In-House Controller

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.7 × 72.13 × 101.85 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1800 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung Phoenix Controller

مقایسه پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پایونیر APS-SL3N SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 × 70 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 70 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 850,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5100 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM LPDDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) S4LV003 Samsung Phoenix

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 DM620

مقایسه ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول - - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - حداکثر 2.3 وات هنگام استفاده - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 102,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 75 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 128 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) PHISON E13T Silicon Motion SM2267EN

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI Samsung Elpis

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر - مک نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI Samsung Phoenix

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 × 22 × 80 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 6.51 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 480 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 465 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 151,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 125 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.51 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 480 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 465 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Samsung Phoenix Controller

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Samsung In-House Controller