صفحه 13 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	36 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	Marvell	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	37.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 52 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.25 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	81,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTTF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	525 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS ای دیتا

ویژگی	بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	31 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بلو VS ایکس پی جی

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	37.4 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 52 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.25 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	81,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTTF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	525 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS ایکس پی جی

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 256 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 256 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS ای دیتا

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 256 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 256 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار VS ای دیتا

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	9 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 256 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

بلو VS ای دیتا

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	37.4 گرم	60 گرم
میزان توان مصرفی	- 52 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.25 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	81,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTTF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	525 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS ای دیتا

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	31 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS ای دیتا

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	7 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام جی VS ای دیتا

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS ای دیتا

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	7 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه