صفحه 51 از مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه - توان مصرفی پایین - الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 100 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک مدل iXpand Mini ظرفیت 64 گیگابایت با سیلیکون پاور مدل Jewel J08 ظرفیت 64 گیگابایت

مینی VS سیلیکون پاور

ویژگی	سن دیسک مدل iXpand Mini ظرفیت 64 گیگابایت	سیلیکون پاور مدل Jewel J08 ظرفیت 64 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS نسخه 10.8 و بالاتر - کروم OS	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS نسخه 10.3 و بالاتر - لینوکس 2.6 و بالاتر
مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقدار ولتاژ لازم	-	5 ولت
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
اندازه و ابعاد	4.6 × 12.1 × 53 میلی‌متر	7.8 × 15.8 × 24.2 میلی‌متر
وزن محصول	4.5 گرم	3.59 گرم
میزان ظرفیت حافظه	64 گیگابایت	64 گیگابایت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت Enterprise Capacity ST8000NM0055 ظرفیت 8 ترابایت با ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت VS ای دیتا

ویژگی	سیگیت Enterprise Capacity ST8000NM0055 ظرفیت 8 ترابایت	ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت‌های جانبی	-	دارای استاندارد نظامی MIL-STD-810G
پشتیبانی از کلید پاور
آستانه شوک‌پذیری	-	مقاوم در برابر افتادن از ارتفاع حداکثر 1.2 متر
استاندارد IPX (مقاومت در برابر آب)	-	IP68 (مقاوم در برابر نفوذ گرد و غبار و آب تا عمق 1.5 متر به مدت 60 دقیقه)
اسلات قفل امنیتی Kensington
حسگر شوک و لرزش
ضد لغزش
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, RoHS	CE, FCC, VCCI, RoHS
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر رطوبت هوا
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر گرد و غبار
طراحی و ابعاد دستگاه	3.5 اینچ	2.5 اینچ
پورت اتصال درونی	SATA 6 Gb/s	-
گروه‌بندی کلی	اینترنال دسکتاپ	اکسترنال قابل حمل
اندازه و ابعاد	26.1 × 101.85 × 147 میلی‌متر	22 × 99 × 132 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	آبی، مشکی، زرد
وزن محصول	780 گرم	220 گرم
میزان توان مصرفی	11 وات در حالت فعال و 7.6 وات در حالت Idle	-
نوع کاربری	اینترنال	اکسترنال
سرعت چرخش دیسک	7200 دور در دقیقه	5400 دور در دقیقه
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت	-
ظرفیت	8 ترابایت	1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 60 درجه‌ی سانتی‌گراد	5 تا 50 سانتی‌گراد
میانگین زمان تاخیر	4.16 میلی‌ثانیه	-
نیاز به منبع تغذیه خارجی
ولتاژ و جریان عملیاتی	5 و 12 ولت	5 ولت
کش	256 مگابایت	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت Backup Plus Fast ظرفیت 4 ترابایت با ای دیتا HD710 Pro ظرفیت 5 ترابایت

سیگیت VS ای دیتا

ویژگی	سیگیت Backup Plus Fast ظرفیت 4 ترابایت	ای دیتا HD710 Pro ظرفیت 5 ترابایت
محتویات جعبه	کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0	کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS X نسخه‌ی 10.7 و بالاتر - iOS 7 و بالاتر - اندروید 2.3 و بالاتر	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از فرمت NTFS در مک	دارای استاندارد نظامی MIL-STD-810G
پشتیبانی از کلید پاور
آستانه شوک‌پذیری	-	مقاوم در برابر افتادن از ارتفاع حداکثر 1.5 متر
استاندارد IPX (مقاومت در برابر آب)	-	IP68 (مقاوم در برابر نفوذ گرد و غبار و آب تا عمق 2 متر به مدت 60 دقیقه)
اسلات قفل امنیتی Kensington
حسگر شوک و لرزش
ضد لغزش
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, RoHS	CE, FCC, VCCI, RoHS, KC, EAC, RCM, BSMI
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر رطوبت هوا
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر گرد و غبار
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
گروه‌بندی کلی	اکسترنال قابل حمل	اکسترنال قابل حمل
اندازه و ابعاد	22.35 × 82.5 × 116.9 میلی‌متر	26.7 ×98.5 × 133.3 میلی‌متر
مواد بدنه	فلزی	پلاستیک سه لایه
وزن محصول	307 گرم	390 گرم
نوع کاربری	اکسترنال	اکسترنال
سرعت چرخش دیسک	5400 دور در دقیقه	5400 دور در دقیقه
ظرفیت	4 ترابایت	5 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	-	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
نیاز به منبع تغذیه خارجی
ولتاژ و جریان عملیاتی	-	5 ولت / 900 میلی‌آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS لکسار

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.500 وات در حالت خواندن - 6.600 وات در حالت نوشتن - 0.211 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 3600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.500 وات در حالت خواندن - 6.600 وات در حالت نوشتن - 0.211 وات در حالت Idle	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 3600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.500 وات در حالت خواندن - 6.600 وات در حالت نوشتن - 0.211 وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,770,000 ساعت (MTBF) - 3600 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3‎D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت DDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی VS ایکس پی جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- کدینگ LPDC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلي‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.7 وات در حالت استفاده - 325 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 110 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	PHISON S11	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی VS ای دیتا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- کدینگ LPDC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلي‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.7 وات در حالت استفاده - 325 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 110 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	PHISON S11	-

مشاهده جزئیات مقایسه