صفحه 47 از مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	151,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 125 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

خودروسازی دی اس VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0B SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از SLC Cache - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	1.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.51 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	465 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	10,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	380 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	110 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	10,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	380 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	110 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	10,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	380 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	110 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	45.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	6,500IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	10,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 60 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	380 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	110 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM3350	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS ای دیتا

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	151,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 125 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	110,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	151,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 125 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ایکس پی جی

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) - نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.6 وات در حالت خواندن - 2.4 وات در حالت نوشتن - 1.9 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) - نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	-	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 2.6 وات در حالت خواندن - 2.4 وات در حالت نوشتن - 1.9 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک مدل Cruzer CZ73 Ultra Flair ظرفیت 8 گیگابایت با سیلیکون پاور مدل X31 ظرفیت 64 گیگابایت

سن‌دیسک VS سیلیکون پاور

ویژگی	سن دیسک مدل Cruzer CZ73 Ultra Flair ظرفیت 8 گیگابایت	سیلیکون پاور مدل X31 ظرفیت 64 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS نسخه 10.3 و بالاتر - لینوکس 2.6 و بالاتر - اندروید 4.1 و بالاتر - ویندوز فون 8
قابلیت‌های جانبی	قابلیت رمزگذاری فایل‌ها	دارای گواهی‌نامه‌های CE, FCC, BSMI, Green Dot, WEEE, RoHS, KCC
مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
نوع منبع تغذیه	-	درگاه USB و microUSB
اندازه و ابعاد	6.6 × 13.2 × 42.4 میلی‌متر	8.1 × 12.3 × 33 میلی‌متر
وزن محصول	15.8 گرم	3.3 گرم
میزان ظرفیت حافظه	8 گیگابایت	64 گیگابایت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لنوو F310S ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS ای دیتا

ویژگی	لنوو F310S ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0 - دفترچه راهنما	کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت‌های جانبی	-	دارای استاندارد نظامی MIL-STD-810G
پشتیبانی از کلید پاور
آستانه شوک‌پذیری	-	مقاوم در برابر افتادن از ارتفاع حداکثر 1.2 متر
استاندارد IPX (مقاومت در برابر آب)	-	IP68 (مقاوم در برابر نفوذ گرد و غبار و آب تا عمق 1.5 متر به مدت 60 دقیقه)
اسلات قفل امنیتی Kensington
حسگر شوک و لرزش
ضد لغزش
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, RoHS	CE, FCC, VCCI, RoHS
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر رطوبت هوا
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر گرد و غبار
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
گروه‌بندی کلی	اکسترنال قابل حمل	اکسترنال قابل حمل
اندازه و ابعاد	14 × 78 × 126 میلی‌متر	22 × 99 × 132 میلی‌متر
رنگ‌بندی	نقره‌ای، مشکی	آبی، مشکی، زرد
مواد بدنه	فلزی	-
وزن محصول	300 گرم	220 گرم
نوع کاربری	اکسترنال	اکسترنال
سرعت چرخش دیسک	5400 دور در دقیقه	5400 دور در دقیقه
ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 55 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 سانتی‌گراد
نیاز به منبع تغذیه خارجی
ولتاژ و جریان عملیاتی	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1800 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

زاداک VS سامسونگ

ویژگی	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت BarraCuda 120 SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت VS سامسونگ

ویژگی	سیگیت BarraCuda 120 SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی - نرم‌افزار SeaTools SSD	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, KCC, FCC, RU, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7.1 × 70.1 × 100.35 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.7 وات در حالت فعال - 120 میلی‌وات در حالت Idle - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه