صفحه 41 از مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 به بالا - لینوکس 2.6.33 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4.0 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.7 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	590,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	610,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,600,000 ساعت (MTBF) - 700 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED		-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	31 گرم	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ایکس پی جی

ویژگی	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	31 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار S160 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار S160 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش و ضربه - مقاومت در برابر شوک	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	36 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اوریکو XD008 با لنوو DB65

اوریکو VS لنوو

ویژگی	اوریکو XD008	لنوو DB65
نشانگر وضعیت LED
زمان دسترسی به داده‌ها در CD	-	140 میلی‌ثانیه
زمان دسترسی به داده‌ها در DVD	-	160 میلی‌ثانیه
ظرفیت بافر	2 مگابایت	750 کیلوبایت
طراحی و ابعاد دستگاه	دسکتاپ	دسکتاپ
نام معادل	ORICO XD008-BK-BP	DB65-alvk31b
نرخ خواندن CD-R	24X	-
نرخ خواندن CD-RW	16X	-
نرخ خواندن DVD+R	-	8X
نرخ خواندن DVD-R	8X	8X
نرخ خواندن DVD-ROM	-	8X
نرخ خواندن DVD-RW	8X	-
حداکثر سرعت نوشتن DVD+R	-	8X
حداکثر سرعت نوشتن DVD-R	-	8X
نرخ نوشتن CD-R	24X	-
نرخ نوشتن DVD-ROM	8X	8X
پورت اتصال حافظه	USB 3.2 Gen 1×1 (Type-C + Type-A)	-
دسته‌بندی درایو	DVD	DVD
اندازه و ابعاد	1.8 × 14.7 × 14.1 سانتی‌متر	1.4 × 13.7 × 14.4 سانتی‌متر
وزن محصول	400 گرم	200 گرم
نوع کاربری	اکسترنال	اکسترنال

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سونی HD-SL1 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت

سونی VS ای دیتا

ویژگی	سونی HD-SL1 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا HD710 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-A به USB Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 - دفترچه راهنما	کابل Micro-B به Type-A از نوع USB 3.0
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.8 و بالاتر	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-
قابلیت‌های جانبی	-	دارای استاندارد نظامی MIL-STD-810G
پشتیبانی از کلید پاور
آستانه شوک‌پذیری	-	مقاوم در برابر افتادن از ارتفاع حداکثر 1.2 متر
استاندارد IPX (مقاومت در برابر آب)	-	IP68 (مقاوم در برابر نفوذ گرد و غبار و آب تا عمق 1.5 متر به مدت 60 دقیقه)
اسلات قفل امنیتی Kensington	-
حسگر شوک و لرزش	-
ضد لغزش	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, RoHS
مقاومت در برابر خش	-
مقاومت در برابر رطوبت هوا	-
مقاومت در برابر ضربه	-
مقاومت در برابر لرزش	-
مقاومت در برابر نفوذ آب	-
مقاومت در برابر گرد و غبار	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2.5 اینچ
گروه‌بندی کلی	اکسترنال قابل حمل	اکسترنال قابل حمل
اندازه و ابعاد	12 × 81 × 118 میلی‌متر	22 × 99 × 132 میلی‌متر
رنگ‌بندی	نقره‌ای، مشکی	آبی، مشکی، زرد
وزن محصول	190 گرم	220 گرم
نوع کاربری	اکسترنال	اکسترنال
سرعت چرخش دیسک	5400 دور در دقیقه	5400 دور در دقیقه
ظرفیت	1 ترابایت	1 ترابایت
فرمت پیش‌فرض	NTFS	-
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 40 درجه‌ی سانتی‌گراد	5 تا 50 سانتی‌گراد
نیاز به منبع تغذیه خارجی
ولتاژ و جریان عملیاتی	5 ولت / 900 میلی‌آمپر	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه باسئوس مدل Enjoy Music U-Disk ظرفیت 64 گیگابایت با سیلیکون پاور مدل Touch T01 ظرفیت 64 گیگابایت

باسئوس VS سیلیکون پاور

ویژگی	باسئوس مدل Enjoy Music U-Disk ظرفیت 64 گیگابایت	سیلیکون پاور مدل Touch T01 ظرفیت 64 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS نسخه 10.3 و بالاتر - لینوکس 2.6 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	- قابلیت شارژ دستگاه‌های دیگر - شارژ همزمان گوشی یا تبلت و پخش موسیقی - سرعت انتقال داده 480 مگابیت بر ثانیه	-
مقاومت در برابر شوک	-
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقدار ولتاژ لازم	-	5 ولت
مقاومت در برابر خش
مقاومت در برابر ضربه	-
مقاومت در برابر لرزش	-
اندازه و ابعاد	8.9 × 23.9 × 52.5 میلی‌متر	4.6 × 13.8 × 25 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	فلز
وزن محصول	12 گرم	2.6 گرم
میزان ظرفیت حافظه	64 گیگابایت	64 گیگابایت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS سامسونگ

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - لینوکس - مک	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard - نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	37.4 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 52 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.25 وات در حالت نوشتن - 56 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 تا 7 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	81,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTTF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	525 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه