صفحه 12 از مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ایکس پی جی

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR3L
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10 با سیلیکون پاور microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Color Elite کلاس 10

سن‌دیسک VS سیلیکون پاور

ویژگی	سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10	سیلیکون پاور microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Color Elite کلاس 10
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت ضبط ویدیو با حداکثر رزولوشن Full HD
استاندارد سرعت انتقال داده‌ها	کلاس 10	کلاس 10
کلاس سرعت فوق سریع (UHS)	UHS-I U1	UHS-I U1
مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
طراحی و ابعاد دستگاه	microSD	microSD
نوع حافظه	کارت حافظه	کارت حافظه
اندازه و ابعاد	1 × 11 × 15 میلی‌متر	1 × 11 × 15 میلی‌متر
میزان ظرفیت حافظه	64 گیگابایت	64 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	48 مگابایت بر ثانیه	85 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سامسونگ

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS لکسار

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10 با ای دیتا microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Premier V10 A1 کلاس 10

سن‌دیسک VS ای دیتا

ویژگی	سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10	ای دیتا microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Premier V10 A1 کلاس 10
قابلیت‌های جانبی	-	گواهینامه‌های FCC, CE, VCCI
استاندارد سرعت انتقال داده‌ها	کلاس 10	کلاس 10
کلاس سرعت فوق سریع (UHS)	UHS-I U1	UHS-I U1
مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
طراحی و ابعاد دستگاه	microSD	microSD
نوع حافظه	کارت حافظه	کارت حافظه
اندازه و ابعاد	1 × 11 × 15 میلی‌متر	1 × 11 × 15 میلی‌متر
میزان ظرفیت حافظه	64 گیگابایت	64 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	48 مگابایت بر ثانیه	100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	25 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10 با ای دیتا microSDXC با ظرفیت 128 گیگابایت مدل Premier V10 A1 کلاس 10

سن‌دیسک VS ای دیتا

ویژگی	سن دیسک microSDXC با ظرفیت 64 گیگابایت مدل Ultra کلاس 10	ای دیتا microSDXC با ظرفیت 128 گیگابایت مدل Premier V10 A1 کلاس 10
قابلیت‌های جانبی	-	گواهینامه‌های FCC, CE, VCCI
استاندارد سرعت انتقال داده‌ها	کلاس 10	کلاس 10
کلاس سرعت فوق سریع (UHS)	UHS-I U1	UHS-I U1
مقاومت در برابر شوک
مقاومت در برابر میدان مغناطیسی
مقاومت در برابر نفوذ آب
مقاومت در برابر نفوذ گرد و غبار
مقاومت در برابر پرتو ایکس
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
طراحی و ابعاد دستگاه	microSD	microSD
نوع حافظه	کارت حافظه	کارت حافظه
اندازه و ابعاد	1 × 11 × 15 میلی‌متر	1 × 11 × 15 میلی‌متر
میزان ظرفیت حافظه	64 گیگابایت	128 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	48 مگابایت بر ثانیه	100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	25 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گلکسبیت VS ای دیتا

ویژگی	گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	35 گرم	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	519 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	491 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گلکسبیت VS سامسونگ

ویژگی	گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	519 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	491 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گلکسبیت VS ای دیتا

ویژگی	گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	519 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	491 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گلکسبیت VS لکسار

ویژگی	گلکسبیت G500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر لرزش	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	256,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	519 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	491 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه