نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 1700 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 1100 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 200,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 480,000IOPS | 180,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | - |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - |
نوع حافظه DRAM | - | DDR3/DDR3L |
میزان توان مصرفی | - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلیوات در حالت Idle | 2 وات در حالت فعال و 2 میلیوات در حالت آماده باش |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit |
سیستمعاملهای سازگار | - | - ویندوز - لینوکس - مک |
قابلیتهای جانبی | - | - الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از دادهها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
مجوزها و تاییدیهها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | - |
---|
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 9.5 × 23 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 8 گرم |
نشانگر وضعیت LED | - | دارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟