نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND |
نرخ خواندن ترتیبی | 7400 مگابایت بر ثانیه | 3000 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 6800 مگابایت بر ثانیه | 2600 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 450,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 400,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW) | - 1,800,000 ساعت (MTBF) - 1,660 ترابایت (TBW) |
کنترلر (Controller) | - | Phison E12 |
نوع حافظه DRAM | - | NANYA DDR3L |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG Pyrite |
سیستمعاملهای سازگار | - | - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر |
قابلیتهای جانبی | - | - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC | - |
---|
اندازه و ابعاد | - 3.3 × 22 × 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) - 4.3 × 22 × 80 میلیمتر (با هیتسینک) | 3.8 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | - 7 گرم (بدون هیتسینک) - 10 گرم (با هیتسینک) | 6 گرم |
نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟