صفحه 2 از مقایسه ماینر

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه بیت مین انت ماینرر S19 95Th {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T$

مقایسه بیت مین انت ماینرر S19 95Thبا اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

ویژگی	بیت مین انت ماینرر S19 95Th	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
تاریخ عرضه رسمی	2020/05	2018/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-40 درجه‌ی سانتیگراد	0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	195 در 290 در 400 میلی‌متر	150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول	14.5 کیلوگرم	7.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	95Th/s	32Th/s
میزان توان مصرفی	3250 W	2200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	10 نانومتری
مدل تراشه	-	FinFET
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	14.77 آمپر	10 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	72 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت فیلای Snow Panther A1$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت فیلای Snow Panther A1

اینوسیلیکون VS بیتفیلای

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	بیت فیلای Snow Panther A1
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2018/01
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	10-40- درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	275 در 483 در 599 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	40 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	49Th/s
میزان توان مصرفی	2200 W	5400 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	16 نانومتر
تعداد چیپست‌ها	-	576
مدل تراشه	FinFET	BF16BTC
مقدار ولتاژ	12 ولت	48.0-57.6 ولت
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	24.54 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	82 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9i 14Th$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S9i 14Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	بیت مین انت ماینرر S9i 14Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2018/05
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	14Th/s
میزان توان مصرفی	2200 W	1320 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	189
مدل تراشه	FinFET	BM1387
مقدار ولتاژ	12 ولت	-
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	6 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	13.5Th/s
میزان توان مصرفی	2200 W	1310 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	189
مدل تراشه	FinFET	BM1387
مقدار ولتاژ	12 ولت	11.60-13.00 ولت
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	5.95 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2020/05
اتصالات موجود	اینترنت	ایترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	195 در 290 در 370 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	13 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	110Th/s
میزان توان مصرفی	2200 W	3250 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 وولت
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	14.77 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/12
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	10 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	64Th/s
میزان توان مصرفی	2200 W	3200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	14.54 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} کنان AvalonMiner 921$

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا کنان AvalonMiner 921

اینوسیلیکون VS کنان

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T	کنان AvalonMiner 921
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2018/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-30- درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	150 در 136 در 370 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	6 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	32Th/s	-
میزان توان مصرفی	2200 W	1700 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	7 نانومتر
مدل تراشه	FinFET	A3207
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	10 آمپر	7.72 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	70 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه