اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

6

innosilicon t2 turbo plus 32t



ویژگی های اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

داده‌های اولیه یا اطلاعات اصلی

داده‌های اولیه یا اطلاعات اصلی اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
تاریخ عرضه رسمی 2018/09

ویژگی‌های عمومی

ویژگی‌های عمومی اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s
میزان توان مصرفی 2200 وات

ویژگی‌های فنی

ویژگی‌های فنی اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
مدل تراشه FinFET
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری
میزان جریان مصرفی 10 آمپر
مقدار ولتاژ 12 ولت
میزان نویز 72 دسی‌بل

سایر موارد یا جزئیات

سایر موارد یا جزئیات اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
اتصالات موجود اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد

ویژگی‌های ظاهری

ویژگی‌های ظاهری اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم

شما "به اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T " چه امتیازی می دهید؟

نظرات

پرسش و پاسخ

سوال خود را بپرسید تا دیگر کاربران به آن پاسخ بدهند