1. مقایسه
  2. مقایسه بازارهای مالی
  3. مقایسه ارز دیجیتال
  4. مقایسه ماینر

مقایسه ماینر

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9j 14.5Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9j 14.5Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S9j 14.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S9j 14.5Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2018/08
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد -
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 14.5Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 1350 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 6.13 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 76 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/12
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 11 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 73Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 2920 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 13.27 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 75 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S5
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S5

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S5

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S5

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2014/10
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 0-35 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد -
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 137 در 155 در 298 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 2.8 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 1.155Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 590 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET BM1384
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 2.69 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 65 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2018/11
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 176 در 221 در 279 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 6.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 20.5Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 1530 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 6.95 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 76 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینرM21
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینرM21

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا میکرو بی تی واتس ماینرM21

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

میکرو بی تی واتس ماینرM21

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/08
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 200 در 300 در 440 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 7.15 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 31Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 1860 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری 12 نانومتری
مدل تراشه FinFET TSMC
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 8.45 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 75 دسی‌‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر T17e 53Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/11
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 11.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 53Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 2915 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 13.25 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 80 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/07
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 129 در 200 در 321 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 4.56 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 16Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 1280 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری 16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها - 180
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 5.81 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 76 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M20S
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} میکرو بی تی واتس ماینر M20S

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا میکرو بی تی واتس ماینر M20S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

میکرو بی تی واتس ماینر M20S

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/08
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 130 در 220 در 390 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 68Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری 12 نانومتری
مدل تراشه FinFET TSMC
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 15.27 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 75 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S17 56Th
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} بیت مین انت ماینرر S17 56Th

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا بیت مین انت ماینرر S17 56Th

اینوسیلیکون VS بیت مین
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

بیت مین انت ماینرر S17 56Th

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/04
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 178 در 296 در 298 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 9.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 56Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 2520 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری 7 نانومتری
تعداد چیپست‌ها - 144
مدل تراشه FinFET BM1397
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 11.45 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 82 ئسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} ایبنگ Ebit E12 PLUS
VS
مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T {request()->input('language_config')['common']['with']} ایبنگ Ebit E12 PLUS

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32Tبا ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ
ویژگی

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

ایبنگ Ebit E12 PLUS

تاریخ عرضه رسمی 2018/09 2019/09
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 0-40 درجه‌ی سانتیگراد 5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 150 در 180 در 400 میلی‌متر 215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 کیلوگرم 10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 32Th/s 50Th/s
میزان توان مصرفی 2200 W 2500 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 10 نانومتری -
مدل تراشه FinFET -
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 لت
میزان جریان مصرفی 10 آمپر 11.36 آمپر
میزان نویز 72 دسی‌بل 75 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21S {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
VS
مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21S {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

مقایسه میکرو بی تی واتس ماینر M21Sبا اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

میکرو بی تی VS اینوسیلیکون
ویژگی

میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

تاریخ عرضه رسمی 2019/06 2018/09
اتصالات موجود اینترنت اینترنت
محدوده دمای کاری 5-45 درجه‌ی سانتیگراد 0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-95 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 155 در 240 در 390 میلی‌متر 150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول 12.5 کیلوگرم 7.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 56Th/s 32Th/s
میزان توان مصرفی 3360 W 2200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 12 نانومتر 10 نانومتری
مدل تراشه TSMC FinFET
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 15.27 آمپر 10 آمپر
میزان نویز 75 دسی‌بل 72 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کنان AvalonMiner 1066 {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T
VS
مقایسه کنان AvalonMiner 1066 {request()->input('language_config')['common']['with']} اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

مقایسه کنان AvalonMiner 1066با اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

کنان VS اینوسیلیکون
ویژگی

کنان AvalonMiner 1066

اینوسیلیکون T2 Turbo+ 32T

تاریخ عرضه رسمی 2019/09 2018/09
اتصالات موجود - اینترنت
محدوده دمای کاری 5-35 درجه‌ی سانتیگراد 0-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری 5-90 درصد 5-95 درصد
اندازه و ابعاد 195 در 292 در 331 میلی‌متر 150 در 180 در 400 میلی‌متر
وزن محصول 11.4 کیلوگرم 7.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش 50Th/s 32Th/s
میزان توان مصرفی 3250 W 2200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه 16 نانومتری 10 نانومتری
تعداد چیپست‌ها 342 -
مدل تراشه A3205 FinFET
مقدار ولتاژ 12 ولت 12 ولت
میزان جریان مصرفی 14.77 آمپر 10 آمپر
میزان نویز اینترنت 72 دسی‌بل
مشاهده جزئیات مقایسه