مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه WD_Black SN7100 2TB NVMe SSDبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	بازی؛ لپ‌تاپ	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4 x4؛ NVMe	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe Gen4	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7,250 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6,900 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC 3D NAND	3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows (برای عملکرد داشبورد)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	M.2 2230
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
وزن محصول	-	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS وسترن دیجیتال

ویژگی	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6850 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,750,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
اندازه و ابعاد	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال 135396با وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	SSD اینترنال 135396	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	SSD داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 NVMe	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	بله	false
محدوده دمای عملیاتی	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis Controller	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	120,000IOPS
طول عمر متوسط	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)	1,750,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	بله	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
فناوری رمزنگاری	رمزگذاری AES 256 بیتی	-
رنگ‌بندی	سیاه	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	تقریباً 8.0 گرم	3.2 گرم
محتویات جعبه	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	M.2 2230
میزان توان مصرفی	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال 135397با وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS وسترن دیجیتال

ویژگی	SSD اینترنال 135397	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	-	256 MB
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
وزن محصول	-	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال 135399با وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

KingSpec VS وسترن دیجیتال

ویژگی	SSD اینترنال 135399	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	3D NAND
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	M.2 2230
نرخ نوشتن ترتیبی	-	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
وزن محصول	-	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال 135398با وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	SSD اینترنال 135398	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
فناوری رمزنگاری		-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	M.2 2230
میزان توان مصرفی	کارآمد	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
نرخ نوشتن ترتیبی	-	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
وزن محصول	-	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	3D NAND
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	3.2 گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 2230
نرخ خواندن ترتیبی	-	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	120,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سی‌گیت VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	120,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,750,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	3.2 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 2230
نرخ خواندن ترتیبی	-	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	950 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2230
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90.000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	3.2 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلیو VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	120,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,750,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	3.2 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 2230
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه