نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | SATA | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | SATA 6Gb/s | PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2.5 اینچ | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 500 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung MKX | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 560 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 530 مگابایت بر ثانیه | 2300 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 98,000IOPS | 360,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 88,000IOPS | 390,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانیتگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 5 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTTF) - 300 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle - 2.5 میلیوات در حالت DevSlp | - حداکثر 90 میلیوات در حالت فعال - 5 میلیوات در حالت استندبای |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, KCC, VCCI, RCM | BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI |
---|
اندازه و ابعاد | 6.8 × 69.85 × 100 میلیمتر | 2.38 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 45 گرم | 6.5 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟