صفحه 3 از مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false -
اندازه و ابعاد - 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول - ۸ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC ۳D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر) -
وزن محصول ۴۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۴۶ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) -
وزن محصول ۵۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۲ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
وزن محصول ۵۸ گرم -
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۸ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) -
وزن محصول ۶۹ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ خواندن ترتیبی - 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false