مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۶ گرم	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۵ گرم	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلیو VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۱۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Micron 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	-	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3225 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۸ گرم	-
رنگ‌بندی	مشکی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	Micron 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۱۴ گرم	-
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	-	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3225 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۵ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۹۵۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۲۰۵ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۷.۷ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Micron 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۱۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	-	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3225 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS توین موس

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۴۶ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه