مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) 2Ch SMI
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 41 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX SMI
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 62 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7500 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6850 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی) -
وزن محصول 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی) -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر -
وزن محصول 34 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ نوشتن ترتیبی - 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris SMI
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2200 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 260,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر -
وزن محصول 68 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6000 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر -
وزن محصول 47 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM -
اندازه و ابعاد 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
کنترلر (Controller) - SMI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258 SMI
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ خواندن ترتیبی - 3550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3225 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false