صفحه 15 از مقایسه توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI Maxio Technology MAS0902A
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
مواد بدنه - پلاستیک
اندازه و ابعاد - 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 60 گرم

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 450,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی 3550 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3225 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم