صفحه 3 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۵۰ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱۵ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۹۵۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۲۰۵ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	1 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	-	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	6 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC ۳D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۰ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ام جی VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	6 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	6 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	-	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

آی‌استوریج VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه