مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS ام جی

ویژگی	ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5733DMQ	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	47.5 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS بلو

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue SN580 WDS500G3B0E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	4000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 85 درجه سانیتگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	300 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	5.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2250 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	390,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	512 MB DDR3	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 320 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.21 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS ام جی

ویژگی	لکسار NM800 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green WDS480G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS480G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام جی VS خودروسازی دی اس

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Green WDS480G2G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	32.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	0.08 وات * حالت میانگین ** 2.8 وات * حالت خواندن ** 2.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} می بند 5 شیائومی$

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا می بند 5 شیائومی

ام جی VS شیائومی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	می بند 5 شیائومی
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2600 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	12.45 * 18.15 * 46.95 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	11.9 گرم (نسخه استاندارد) ** 12.1 گرم (نسخه NFC)
نشانگر وضعیت LED	false	-
زمان معرفی	-	2020، 11 ژوئیه 2020 ** این محصول * بازار جهانی با نام شیائومی می اسمارت بند 5 نیز شناخته می‌شود
وضعیت عرضه	-	عرضه شده در ژوئیه 2020
نوع سیم‌کارت‌های سازگار	-	خیر
سایر ویژگی‌های بدنه	-	قاب پلاستیک فشرده قفل آلیاژ آلومینیوم شیشه‌ی 2.5D پوشش AF بند TPU ** مقاوم * برابر فشار آب تا فشار 5 اتمسفر
فناوری صفحه‌نمایش	-	AMOLED
اندازه صفحه‌نمایش	-	1.1 اینچ
رزولوشن دیسپلی	-	294 * 126 پیکسل
جزئیات فنی نمایشگر	-	روشنایی 450 نیت
نسخه سیستم‌عامل	-	سیستم‌عامل اختصاصی
نوع اسپیکر	-	خیر
نوع و ظرفیت باتری	-	باتری لیتیوم پلیمری با ظرفیت 125 میلی‌آمپر ساعت
مدت زمان استندبای باتری	-	14 روز
حسگرهای هوشمند	-	حسگر ضربان قلب، فشارسنج، شتاب‌سنج و ژیروسکوپ سه محوره، ویبره، مادون قرمز جهت تشخیص پوشیدن ساعت (فقط نسخه دارای NFC)، میکروفن (فقط نسخه دارای NFC)، دستیار صوتی Xiao Ai (فقط نسخه چین دارای NFC)
ویژگی‌ها و قابلیت‌های دیگر	-	کنترل دوربین، کنترل موزیک، قابلیت پیدا کردن گوشی، سایلنت کردن گوشی، آنلاک گوشی و لپ‌تاپ، هشدار تماس و پیام، نوتیفیکیشن شبکه‌های اجتماعی، تایمر، بیدارباش، تشخیص پوشیدن ساعت، نمایش وضعیت آب و هوا
فناوری‌های ارتباطی	-	خیر
نوع شبکه بی‌سیم	-	خیر
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	-	بله، بلوتوث 5.0 نسخه BLE
پشتیبانی از NFC	-	مدل XMSH10HM - خیر مدل XMSH11HM - بله مدل گلوبال - خیر
نوع اتصالات USB	-	درگاه شارژ مغناطیسی
رنگ‌بندی موجود	-	سبز، زرد، قرمز، خاکستری تیره
بازه قیمت جهانی	-	حدود 27 دلار (نسخه XMSH10HM یا عادی) ** حدود 33 دلار (نسخه XMSH11HM یا NFC)

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS ام جی

ویژگی	کورسیر MP600 CORE Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	4950 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3700 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	580,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 450 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.3 وات * حالت خواندن ** 6.3 وات * حالت نوشتن ** کمتر از 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	15 * 23 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 PLAY NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 PLAY NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 PLAY NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه K555LB ایسوس Core i7 8GB 2TB 2GB {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه K555LB ایسوس Core i7 8GB 2TB 2GBبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ایسوس VS ام جی

ویژگی	K555LB ایسوس Core i7 8GB 2TB 2GB	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد	25.8 * 256 * 382 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	2.30 کیلوگرم	6 گرم
سی‌پی‌یو (CPU)	Intel Core i7 5500U	-
فرکانس کاری پردازنده	2.4GHz تا 3GHz	-
مقدار حافظه کش	4 MB	-
مشخصات پردازنده گرافیکی مجزا	nvidia GeForce 940M	-
حافظه‌ی اختصاصی پردازنده‌ی گرافیکی	2 MB	-
ظرفیت رم	8 MB	-
ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی	دو ترابایت	-
نوع حافظه‌ی ذخیره‌سازی	هارد دیسک	-
جزئیات حافظه داخلی	5400RPM	-
اندازه نمایشگر	15.6 اینچ	-
رزولوشن دیسپلی	1080×1920 - FHD	-
قابلیت لمسی در صفحه‌نمایش	false	-
پورت اترنت (شبکه)	true	-
قابلیت شبکه بی‌سیم	true	-
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	false	-
پورت VGA	true	-
HDMI	true	-
پورت DVI	false	-
پورت USB Type C	false	-
قابلیت پشتیبانی از Thunderbolt	false	-
وجود جک هدفون/میکروفن	false	-
حجم و ظرفیت باتری	باتری لیتیوم-پلیمر با ظرفیت 37وات‌ساعت	-
مدت شارژدهی باتری (ساعت)	4:00 ساعت	-
درایو نوری (Optical Drive)	true	-
وبکم (Webcam)	true	-
کیبورد با نور پس‌زمینه (Backlit Keyboard)	false	-
حسگر اثر انگشت	false	-
کارت‌خوان (Card Reader)	true	-
نوع سیستم عامل	DOS فاقد سیستم‌عامل	-
نوع اسپیکر	بلندگوهای داخلی استریو	-
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS ام جی

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7100 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,200,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	19 * 23 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	340 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گلووی Fierce SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه گلووی Fierce SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گلووی VS ام جی

ویژگی	گلووی Fierce SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	1 ترابایت
کنترلر (Controller)	SM2258XT	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	200 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI, RU, VCCI	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	6 گرم
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه بایواستار S160 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه بایواستار S160 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS ام جی

ویژگی	بایواستار S160 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاومت * برابر شوک	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	36 گرم	6 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه