1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 1 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 6 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۵۰ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه