صفحه 6 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND TLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۹۰ گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
پورت اتصال حافظه	-	PCI Express ۴.۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
مجوزها و تاییدیه‌ها	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

سامسونگ VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۵۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۳۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۲۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	۹۰ گرم	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3 {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۵۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۳۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۹۰ گرم	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه