صفحه 5 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۳۸۰۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.۲ 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۹۰ گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۳ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۹۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۹۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V