مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		Yes
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		true
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		Yes
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی		۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی		۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها		۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها		۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط		۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		true
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
فناوری رمزنگاری		Yes
رنگ‌بندی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول		۹۰ گرم
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
میزان توان مصرفی		-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		Yes
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی		۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
میزان توان مصرفی		-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۱۲ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۹۶۰ گیگابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3 {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۵۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۳۰۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۹۰ گرم	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه