مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 40.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM LPDDR4 DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1280 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
وزن محصول - 11 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP44 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND TLC NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 660,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2500 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 0.9 تا 3.6 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت فعال ** 3 وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گودگا SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 570 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,600IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,100IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** قابل استفاده برای لپ‌تاپ و PC ** زمان دسترسی: 0.07 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC RoHS
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4

مقایسه اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اینتل SSD D3-S4510 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 64-Layer 3D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 490 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 18,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1.2 پتابایت (PBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت فعال ** 1 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد ضخامت 7 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L TLC NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 5‎12 مگابایت LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.085 وات * حالت خواندن ** 3.285 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 75,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM LPDDR4 DDR3
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x8 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 3.2 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 8000 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
میزان توان مصرفی 14 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS